Digital Daily Logo

Samsung объявила о начале массового производства флеш-памяти стандарта eUFS 3.1 емкостью 512 Гб. Есть версии с 128 Гб или 256 Гб памяти. Скорость записи данных может достигать отметки 1,2 Гбайт/с и это самые быстрые чипы в индустрии. Заявленные модули памяти найдут свое применение в смартфонах, планшетах и ноутбуках.     По итогам тестов оказалось, что eUFS 3.1 втрое быстрее eUFS 3.0. Необходимо всего 1,5 минуты, чтобы

Where does it come from?

записать файл объемом 100 Гб. Прирост производительности нового чипа по сравнению с UFS 3.0 составил внушительные 60%. По заявлению компании, новый чип обеспечивает более чем вдвое большую скорость, чем SATA-ПК, и более чем в десять раз большую, чем UHS-I.   С появлением новой флеш-памяти Samsung в устройствах, пользователи получат возможность быстрее и комфортнее работать с большими файлами, а еще она станет приятным дополнением для гаджетов с

• Integer vitae libero ac risus egestas placerat.
• Fusce lobortis lorem at ipsum semper sagittis.
• Cras ornare tristique eros elit nulla nec ante.
• Ut aliquam sollicitudin iaculis ultricies nulla.
• Vivamus molestie gravida turpis lobortis lorem.
• Nam convallis pellentesque nisl commodo nulla.

Finibus Bonorum et Malorum

Samsung объявила о начале массового производства флеш-памяти стандарта eUFS 3.1 емкостью 512 Гб. Есть версии с 128 Гб или 256 Гб памяти. Скорость записи данных может достигать отметки 1,2 Гбайт/с и это самые быстрые чипы в индустрии.

Why do we use it?

поддержкой 8К видео.      Скорость записи случайных блоков в терминах IOPS достигла отметки 70 тысяч, а скорость чтения составила 100 тысяч OIPS. Ожидается, что новые чипы появятся в коммерческих продуктах не ранее второй половины нынешнего года.   Ранее Western Digital и Armor (Toshiba Storage) также анонсировали свою флеш-память UFS 3.1, но в итоге их серийное производство так и не стартовало.   Источник: gadgets